за заситување не можам нигде да најдам 
Па еве, ајде малку да анализираме
.
Најпросто објаснето, транзисторот ќе се најде во сатурација кога напонот на базата ќе биде многу „попозитивен“ од напонот на емитерот (иако, ова не е сосема точно, транзисторот е струјно контролирана компонента, така да, ова се треба да се објасни преку струи, но најпросто ми беше вака да го објаснам
, инаку, напонот на базата не може да порасне повеќе од максималнaта вредност на V
be). Тоа значи дека (реално гледано), доколку на базата има поврзано отпорник, напонот на едниот крај на отпорникот може да го надмине потенцијалот на напонот на колекторот, но напонот на базата ќе има некоја максимална вредност V
be која најчесто е 0.7V.
Кога потенцијалот на базниот отпорник не е поголем од напонот на колекторот (односно, барем за 0.7V помал од напонот на колекторот), но сепак го надминува напонот на емитерот за прилично голема вредност (транзисторот се наоѓа во сатурација), тогаш емитерскиот PN спој е позитивно поларизиран. Притоа, треба да се напомене дека кога транзисторот е во сатурација, падот на напонот на емитерскиот PN спој, кој во нормални услови (кога работи во линеарен режим) е околу 0.7V, можно е да има малку помала вредност од оваа, на пример 0.6V. Исто така, во овој случај, колекторскиот PN спој е инверзно поларизиран, но тоа не претставува проблем бидејќи транзисторот е струјно контролирана компонента (базата само го контролира протокот на струја меѓу колекторот и емитерот на транзисторот), па без разлика на потенцијалот на базниот отпорник, ако емитерскот PN спој е директно полазиризиран и во сатурација, самото тоа автоматски предизвикува проток на струја низ колекторскиот PN спој, чиј најголем дел тече преку емитерот на транзисторот кон маса (или за што и да е врзан емитерот на транзисторот).
Ова можеби изгледа малку нелогично
, но базата е само контролата
. Дефиницијата за тоа „дали некој транзистор е во сатурација или не“ е следнава: без разлика колку расте јачината на струјата во базата, колекторската струја останува иста (или има многу мало влијание врз оваа струја). Всушност, теоретски гледано, струјата низ базата може да биде еднаква со емитерската или колекторската, но тоа ќе ја зголеми емитерската струја само за дупло, а не за 50 или 100 пати (колкаво и да било h
fe-то на транзисторот), што повторно се смета за мало влијание врз јачината на струјата. Се разбира, ова не е возможно во праксата (или е можно, но само за определен број на специјално дизајнирани транзистори кои може да издржат проток на голема струја од базата кон емитерот), бидејќи толку големи струи, сигурно ќе го оштетат емитерскот PN спој.
Напонот на базниот отпорник може да порасне над потенцијалот на колекторот, но тоа не значи дека и напонот на базата ќе порасне над вредноста дефинирана со V
be. Оваа вредност мора да биде 0.6XXX[V] или 0.7XXX[V] за да може транзисторот да биде ON (SAT). Затоа и не се анализира (не се навлегува во подлабока анализа) на поларизацијата на колекторскиот PN спој кога транзисторот е поврзан во врска со заеднички емитер. Важна е само поларизацијата на емитерскиот PN спој и колкава е базната струја за да одредиме дали транзисторот работи во NAP или SAT.
Ова е лично моја анализа, не знам колку е точна, но би требало да биде
. Инаку, кога транзисторот се наоѓа во сатурација, параметарот h
fe не игра никаква улога во пресметката на струите во транзисторот, во вакви ситуации, важи оваа равенка: I
c = I
b + I
e. Исто така, најчесто се зема дека кога транзисторот е во сатурација, падот на напонот меѓу колекторот и емитерот е околу 0.2V (понекогаш, ако транзисторот има големо h
fe, може да се земе и 0.1V).
Дали некој знае да го напише изразот за проводност на еден полупроводник ?
За чист полупроводник, равенката би била оваа:
Во равенката, сигма е специфичната проводност на материјалот изразена во [S/m], n е концентрација на слободни електрони во полупроводникот, q е количеството на електрицитет на еден електрон, q = 1.6 * 10
-19 [C] (C = Кулони), а u е подвижноста на електроните.
