Сите си имаат свои предности и недостатоци.
Недостаток на MOSFET-ите им е што за да работат на големи фрекфенции потребни се големи импулсни струи за да го полнат капацитетот на гејтот. Друг недостаток им е што се ултра-осетливи на ESD.
Предност им е големата дозволена дисипација и големите моќности со кои можат да се справат со минимално загревање.
Недостаток на BJT им е што многу загреваат и за пропуштање на големи струи од колектор во емитер, им е потребна помала, но сепак голема струја од база во емитер (за NPN). Тоа ги прави бескорисни кога се работи за контрола на големи струи поради тоа што јаките биполарни транзистори најчесто имаат многу мал коефициент на струјно засилување Hfe.
Предности на биполарните транзистори се тоа што можат да работат на многу високи фрекфенции без разлика на струјата или напонот на базата. Исто така лесно се справуваат со ESD (до одредена вредност).
Заради овие предности и недостатоци постојат IGBT што се незаменливи и од двете страни, но и посолени...
Споено мислење: 11.12.2014, Thursday, 20:53:43
мосфетите се користат најчесто до 100кхз натака биполарни....
Моќен MOSFET можеш да тераш и до 10MHz со доволно јаки импулсни струи на гејтот...