Nanotube Transistor
Single Electron Transistor
Транзисторите се основните градбени делови на повеќето електроника, вклучувајќи ги и сите компјутери и радија. nanotransistor е транзистор чии димензии се мерат во нанометри.На пример, транзистор со дијаметар од 300 нанометри (милијардити дел од метар) ќе биде nanotransistor.Транзисторите се користат за комутација и засилување електронски сигнали as computers. Кога се комбинираат во милиони и милијарди, тие може да се користи за создавање на софистицирана програмабилни информации процесори, попознат како компјутери. Компјутери и комуникациски фирми инвестираат стотици милиони долари во фондови за истражување и секоја година да се развие помали транзистори.
Miniaturizing транзисторот е белег на 50 години на напредок во помали компјутери.Во тренд, познат како закон за Мур,бројот на транзистори кои инженерите биле во можност да ги собере на чип на фиксна големина постојано се удвојуваат на секои 18 до 24 месеци. Така, целата историја на компјутерите се состоеше од многу десетици doublings.. За жал за компјутерската индустрија, сепак, овој тренд не може да се одржува засекогаш - малата големина на тековниот транзистори почнува да работи против законите на физиката .
Напорите за фабрикувам помали nanotransistor се поттикнат да ги исполнат закон Мур и обезбедување на подобар и побрз електроника за потрошувачите.
Конвенционалните photolithography нуди ограничувања за мал nanotransistor може да се фабрикувани, па и нови приоди се обидел, вклучувајќи и користење на микроби и бавно хемиска пареа навредување да синтетизира транзистор компоненти.Во обид да се направи nanotransistors е на чело на нанотехнологијата .Во ноември 2001 година, Bell Labs научници направија голем чекор напред во напорите кон помали nanotransistors со изработка на индивидуално адресибилни-nanotransistors на скала од еден поединец молекула. Овие уреди се толку мали што околу 10 милиони би можеле да се сместат на чело на една игла.Предизвикот за создавање на мали електроди за овие транзистори беше решено со авто-собранието - да сними молекули во одреден микс што ги предизвикува да се комбинираат заедно и само-соберат без директна интервенција инженер За жал, сепак, овој пристап е сеуште експериментална и не е остварливо за масовно производство сеуште.
Во јануари 2008 година, уште една пресвртница во развојот на nanotransistors беше направен од страна на научници на Универзитетот од Илиноис, кога ќе се изгради nanotransistor радио чии активни компоненти се исклучително направен од карбонски наноцевки. Карбон наноцевките се многу флексибилни материјали со неспоредлива цврстина и корисноста на електрониката
A nano-electromechanical single electron transistors (NEMSET)
Single-electron transistors (SETs)
Researchers construct world's smallest nanotube transistor, with a channel length of only 18 nm
Infineon Unveils World`s Smallest Nanotube Transistor
Munich, Germany – November 22, 2004
In its tireless efforts to create smaller and more powerful structures for integrated circuits, Infineon Technologies AG (FSE/NYSE: IFX) has achieved a further breakthrough in its Munich laboratories: researchers here have constructed the world's smallest nanotube transistor, with a channel length of only 18 nm - the most advanced transistors currently in production are almost four times this size. To build their nanotransistor, the researchers grew carbon nanotubes, each one measuring only 0.7 to 1.1 nm in diameter, in a controlled process. A single human hair is around 100,000 times thicker by comparison.
Using a single single-wall carbon nanotube Infineon now was able to create the world's smallest carbon nano tube field effect transistor.
The characteristic properties of carbon nanotubes make them the ideal candidate material for many applications in microelectronics: the tubes carry electrical current virtually without friction on their surface thanks to “ballistic” electron transport and can therefore handle 1000 times more than copper wire. What’s more, they can be both conducting and semiconducting. Infineon is one of the pioneers in developing carbon nanotubes and was the first semiconductor company to demonstrate how the tubes can be grown at precisely defined locations and how transistors for switching larger currents can be constructed.
The nanotube transistor just unveiled can deliver currents in excess of 15 µA at a supply voltage of only 0.4 V (0.7 V is currently the norm). A current density some 10 times above that of silicon, today's standard material, has been observed. On the basis of the test results, Infineon researchers are confident that they can go on miniaturizing transistors at the same rate as previously. Even supply voltages as low as 0.35 V, which are according to the ITRS currently not expected before the year 2018, could be realized if carbon nanotubes are used as the material.
