Kako rece Batka, "svako ima svoje misljenje" pa evo ja da iznesem svoje....
Ovo pojacalo ima potencijal da bude OK ali bi se morale ispraviti neke stvari.
Kao prvo, ovako kako je nacrtano nije moguce sa njim dobiti 300W pod bilo kakvim uslovima. On ima samo dva para izlaznih FET-ova i oni ne bi izdrzali da daju toliku snagu cak i na manjem opterecenju jer na 8 oma i onako to nije moguce. Zasto je to tako? Vrsna vrednost izlaznog napona za 300W na 8 oma je 68,5V pa znaci da napon napajanja mora zbog gubitaka biti barem +/-73...75V DC! Ako bi se koristilo opterecenje od 4 oma, moglo bi teoretski da se sa +/-55V dobije 300W ali prakticno ne jer izlazni FET-ovi to zbog struje ne bi izdrzali tj. bila bi probijena SOAR (Safe Operating Area) kriva. Takodje, nije moguce postici 100W na 8 oma sa napajanjem +/-30V jer je za tu snagu potrebna vrsna vrednost napona (Vpeak) od oko 40V na zvucniku ( tj. oko 80Vpp od vrha pozitivne do vrha negativne poluperiode) a napajanje je samo +/-30V. Samo negde oko 50W je sa tim naponom moguce postici na 8 oma.
**************************************************
Inace, ovo je jedna od cestih zabluda manje iskusnih graditelja - zavara ih veliki broj izlaznih tranzistora pa misle da to omogucava veliku snagu. NE, SNAGU OGRANICAVA NAPON NAPAJANJA i nikakvi dodatni tranzistori to ne mogu povecati. Sa napajanjem od recimo +/-45V je moguce dobiti najvise oko 100W na 8 oma i to se nece povecati taman da stavite po 50 tranzistora u svaku granu! Snaga moze biti veca samo podizanjem napona napajanja ili smanjivanjem impedanse zvucnika a tada ce se morati povecati i broj izlaznih elemenata. Tu cesto ulecu u drugu zamku. U zelji da dobiju vise snage, prikljuce upola manje opterecenje - 4 oma. Da, pojacalo ce tada pokusati da proizvede duplo vise snage, ali ce tada i struja biti duplo veca pa dolaze do granice proboja izlaznih komponenata a i najcesce prekorace mogucnosti sklopa za napajanje jer on nije bio predvidjen da pruzi duplo vecu snagu odnosno struju.
Mladji obicno teze sto vecoj snazi jer im to psiholoski nesto znaci ili ostavlja bolji utisak ali je sasvim uzaludno. Ne treba zaboraviti da ljudski sluh nije linearan i da pojacalo od 200W nece zvucati duplo jace od pojacala od 100W po principu: "Dva puta povecam snagu to ce se cuti dva puta jace". Na zalost, nije tako. Da bi na sluh jedno pojacalo zvucalo duplo jace, potrebno je da ima minimum 4 do 6 PUTA vecu snagu od nekog drugog pojacala!
***************************************************
Koncept ovog pojacala je odavno poznat.To je genericka topologija koja potice iz stare HITACI-jeve aplikacije kad su se pojavili Lateralni MOSFET-ovi. Vazno je da se zapamti da je jedino sa njima moguce to ovako izvesti da se izlazni FET-ovi pobudjuju direktno iz VAS stepena i to je zato sto oni imaju najmanje parazitne povratne kapacitivnosti. Ako vidite semu sa HEXFET-ovima (IRF ili IRFP serija) u izlazu koja je ovako izvedena, znajte da nece ni dobro ni dugo raditi. U tom slucaju je uvek potreban i jedan dodatni pobudni stepen izmedju VAS stepena i izlaznih. Na zalost, i ovde dizajner nije bas mnogo pazio pa je napravio vise sustinskih gresaka. Mozda ovo ovako i radi nekako, ali ne radi kako treba i kako moze. Gde su greske...
Podjimo od izlaza ka ulazu. Kao prvo, Lateralnim FET-ovima ne treba temperaturna kontola BIAS-a jer oni imaju negativan temperaturni koeficijent. Ali treba zapamtiti: SAMO ONI imaju tu osobinu, SVI OSTALI FET-ovi NEMAJU negativni temp. koeficijent i pojacala sa njima MORAJU imati neku formu automatske regulacije BIAS-a u zavisnosti od temperature. Ovde su stavljene dve diode D1 i D2 ali na taj nacin nemate mogucnost da podesavate BIAS. Uz to, padovi napona na tim diodama ne moraju biti bas koliko treba da bi izlazni imali tacan BIAS. Karakteristike FET-va se vrlo cesto dosta razlikuju cak i kad su iz iste serije pa ovaj nacn nije najsrecnije resenje. Umesto obe diode treba staviti samo jedan viseobrtni trimer potenciometar od oko 200 oma.
VAS stepen je odradjen kao diferencijalni pojacavac i to sa dosta snaznim ali tromim tranzistorima. Uz to njima je pogresnim izborom otpornika R9/R10 i R23 pustena premala mrna struja. Da bi se uspesno pobudjivali FET-ovi (bilo kog tipa) potrebno je da prethodni stepen radi sa dosta velikom strujom da bi mogao da se izbori sa povelikim parazitnim kapacitivnostima FET-ova. Struja kroz svaku granu ovog VAS stepena bi morala biti barem oko 10mA. Ako stavite tako velike vrednosti za R9/R10 i R23 bice pri takvoj struji na njima tako veliki padovi napona da ce pojacalo poceti da klipuje mnogo ranije nego sto bi trebalo i moglo. Kroz R23 protice sabrana struja obe grane VAS stepena a to je 2x10mA pa ce to na 2,2koma da napravi pad napona od 44V, a na tom otporniku ne zelimo da taj pad bude veci od nekih 1V. Zato R23 treba smanjiti na 47oma. Takodje su i R9 i R10 preveliki sa svojih 1k jer ce na njima biti pad napona od 10V! Oba treba zameniti sa po 100 oma. Otpornik R8 sluzi da se na kolektoru Q9 dobije priblizno slican napon kao na kolektoru Q10 za koji znamo da mora biti na oko -0,6..0,7V. Uz malo racunice dolazimo do vrednosti od 5k6/1-2W za R8 a paralelno njemu treba staviti i blok od oko 100nF (nije kriticno). Kondenzator C5 je sasvim nepotreban jer nema sta da kompenzuje - samo izgleda "lepo i simetricno" na semi. C6 je potreban ali ima preveliku vrednost pa ce frekventni opseg biti dosta suzen a i SlowRate ce biti mnogo losiji. Njegova vrednost treba da se krece u opsegu od oko 18 do 39pF.
Ni ulazni stepen nije bolje proracunat. Pustena je daleko premala struja. Sa malom strujom imate nesto manji sum ali i mnogo manju linearnost i dinamicke osobine pri vecim signalima. Retko se kod ovog stepena ide sa manjom strujom d nekih 1mA po tranzistoru. Zbog linearnosti i boljeg ponasanja na vecim signalima, uvek je pozeljno dodati i emitersku degeneraciju tako sto se u svaki emiter ubaci po jedan otpornik a ovde ce biti dovoljan od 100oma. Dakle emiteri Q11 i Q12 nisu direktno povezani vec svaki ima po jedan otpornik od 100oma i oni se spajaju u tacki koja ide na R3. I sam R3 nije dobro resenje. Tu se kod boljih dizajna stavlja izvor konstantne struje ali moze se i ovako bez njega. Ipak je bolje da to ne bude samo jedan otpornik vec se on razdeli u dva seriski vezana otpornika a izmedju njih ka masi se stavlja elektrolit. Tako se znacajno poboljsava PSRR. Ako racunamo da Q11 i Q12 vuku svaki po 1mA ta ce struja da tece i kroz R3. Posto se baze ta dva tranzistora nalaze na nultom potencijalu, znamo da im emiteri imaju samo 0,6V vise i da je napajanje 55V pa dakle mozemo izracunati i novu vrednost za R3 a to je oko 27k. Njega je bolje podeliti u dva otpornika od recimo 12 i 15k vezani u seriju a sa njihovog spoja elektrolit od oko 22-47uF/63V na masu.
Ranije smo vec odredili da je R23 sada 47 oma i da kroz njega protice 20mA. To ce na njemu stvoriti pad napona od 0,94V a posto znamo da ce tada na bazama morati da bude oko 0,6-0,65V visi napon (napon Ube Q9&Q10) tako smo nasli i koliki treba da je napon na R12 i R13. Uzecemo da je na svakom od njih pad napona od 1,6V. Ako kroz nji teku struje Q11 i Q12 koje su po 1mA racunamo da R12 i R13 treba da imaju vrednst od 1,6k svaki. Koristicemo prvu najblizu vrednost 1,5k a tacne struje Q9 i Q10 cemo dobiti manjim korekcijama R23 ili R3.
Pojacanje celog ampa je odredjeno odnosom R15 i R14 i mislim da je preveliko. Ja bih tu ostavio R14 kako jeste a stavio R15=R2=22k da bi odrzali DC simetriju na izlazu. Takodje bi povecao vrednost C2 na barem 220..470uF jer on odredjuje RollOff na niskim frekvencama. R1 bih smanjio na 220 oma jer on sa C4 pravi LowPass filter koji ce prerano da obara pojacanje ako je R1=2k2.
Inace mislim da bi za Q9 i Q10 trebalo koristiti bolje tranzistore i sa visim radnim naponom. BD139 su 80V tranzistori a SWING napona na njihovim kolektorima ce biti skoro od -50V do +50V pa su velike sanse da ne izdrze. I Q11 i Q12 ne bi bilo lose zameniti sa naponski boljim tranzistorima - recimo 2SA970 ili 2SA992 ili 2N5401.
